阻垢機理
信息來源：本站 | 發(fā)布日期：
2018-12-24
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關鍵詞：阻垢劑抑制機制
通常它們會干擾成核或晶體生長，在成核階段，閾值阻垢劑與形成水垢的離子結合，但與螯合劑不同，結合離子必須可與其反離子相互作用。這破壞了晶體形成的早期平衡階段的離子簇，在它們達到成核的臨界尺寸之前破壞它們。結果，離子解離，釋放抑制劑以重復該過程。在生長階段，生長抑制劑通過阻斷晶體的活性邊緣來減緩水垢的生長。
良好的晶體生長抑制劑對活性生長位點具有強親和力，但在形成時應易于在晶體表面上擴散到其他活性位點。一旦抑制劑與晶格結合，晶體將形成得更慢并且變形。它們通常形狀更圓，這使得它們不太可能粘附在表面上，更容易分散在整個系統(tǒng)中。在沉積階段，分散劑防止新晶體聚集在一起形成大量的氧化皮材料。分散劑型抑制劑與表面相互作用并排斥其他帶電粒子以防止結合。
所有阻垢劑都以“閾值”方式運行，即濃度低于直接與結垢離子反應所需的濃度，推薦用于現(xiàn)場部署的典型抑制劑濃度為5-50ppm。
