通常它們會(huì)干擾成核或晶體生長(zhǎng)，在成核階段，閾值阻垢劑與形成水垢的離子結(jié)合，但與螯合劑不同，結(jié)合離子必須可與其反離子相互作用。這破壞了晶體形成的早期平衡階段的離子簇，在它們達(dá)到成核的臨界尺寸之前破壞它們。結(jié)果，離子解離，釋放抑制劑以重復(fù)該過(guò)程。在生長(zhǎng)階段，生長(zhǎng)抑制劑通過(guò)阻斷晶體的活性邊緣來(lái)減緩水垢的生長(zhǎng)。
  
  良好的晶體生長(zhǎng)抑制劑對(duì)活性生長(zhǎng)位點(diǎn)具有強(qiáng)親和力，但在形成時(shí)應(yīng)易于在晶體表面上擴(kuò)散到其他活性位點(diǎn)。一旦抑制劑與晶格結(jié)合，晶體將形成得更慢并且變形。它們通常形狀更圓，這使得它們不太可能粘附在表面上，更容易分散在整個(gè)系統(tǒng)中。在沉積階段，分散劑防止新晶體聚集在一起形成大量的氧化皮材料。分散劑型抑制劑與表面相互作用并排斥其他帶電粒子以防止結(jié)合。
  
  所有阻垢劑都以“閾值”方式運(yùn)行，即濃度低于直接與結(jié)垢離子反應(yīng)所需的濃度，推薦用于現(xiàn)場(chǎng)部署的典型抑制劑濃度為5-50ppm。